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輪胎及其制造方法與流程

文檔序號:42170313發(fā)布日期:2025-06-13 16:27閱讀:20來源:國知局

本發(fā)明涉及輪胎及其制造方法,更詳細而言,涉及能夠抑制硫化時的應答器(transponder)的被覆層的橡膠流動、改善應答器的通信性的輪胎及其制造方法。


背景技術(shù):

1、在輪胎中,提出了將rfid標簽(應答器)埋設于輪胎內(nèi)部的方案(例如參照專利文獻1)。在制造將應答器埋設于輪胎內(nèi)部的輪胎時,若在成形時施加提升(lift),則存在輪胎構(gòu)成構(gòu)件的周向端部重疊而厚度(gauge)變厚的拼接部難以伸長,另一方面,拼接部的對向位置容易伸長這樣的傾向。這樣,在生胎的圓周上根據(jù)位置而厚度變化,并且在由于硫化前的生胎中向內(nèi)表面?zhèn)裙钠鸬牟糠謱е律ハ鄬τ诹蚧瘷C偏心的狀態(tài)下模具閉合。因此,若在生胎中在向內(nèi)表面?zhèn)裙钠鸬牟糠?例如,內(nèi)襯層的拼接部附近)配置應答器,則由于應答器周邊的橡膠的流動的影響,被覆應答器的橡膠變得容易流動。由此,被覆橡膠無法覆蓋應答器整體,產(chǎn)生應答器的通信性惡化等問題。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻

3、專利文獻

4、專利文獻1:日本國特開平7-137510號公報


技術(shù)實現(xiàn)思路

1、發(fā)明所要解決的課題

2、本發(fā)明的目的在于,提供能夠抑制硫化時的應答器的被覆層的橡膠流動、改善應答器的通信性的輪胎及其制造方法。

3、用于解決課題的手段

4、為了達成上述目的,本發(fā)明的輪胎具備:胎面部,所述胎面部在輪胎周向上延伸而呈環(huán)狀;一對胎側(cè)部,所述一對胎側(cè)部配置于該胎面部的兩側(cè);以及一對胎圈部,所述一對胎圈部配置于這些胎側(cè)部的輪胎徑向內(nèi)側(cè),在所述一對胎圈部之間架設有胎體層,在所述胎面部處的所述胎體層的外周側(cè)配置有多層帶束層,沿著所述胎體層在輪胎內(nèi)表面配置有內(nèi)襯層,其特征在于,被由橡膠構(gòu)成的被覆層被覆的應答器埋設于輪胎內(nèi)部,在配置有所述應答器的輪胎徑向位置處的輪胎內(nèi)周上,從除了所述應答器的埋設部位以外最向輪胎內(nèi)側(cè)鼓起的位置起沿輪胎周向離開10°以上地配置所述應答器。

5、本發(fā)明的輪胎的制造方法,將包括內(nèi)襯層和胎體層的輪胎構(gòu)成構(gòu)件層疊于成形鼓之上,將由橡膠被覆的應答器埋設于所述輪胎構(gòu)成構(gòu)件之間,成形通過使所述輪胎構(gòu)成構(gòu)件的輪胎周向的端部相互重疊而形成有拼接部的生胎,并對該生胎進行硫化,其特征在于,在埋設所述應答器時,以如下方式將所述應答器埋設于所述生胎:在配置所述應答器的輪胎徑向位置處的輪胎內(nèi)周上,在除了所述應答器的埋設部位以外最向輪胎內(nèi)側(cè)鼓起的位置存在所述內(nèi)襯層或所述胎體層的拼接部,并且在配置所述應答器的輪胎徑向位置處的輪胎內(nèi)周上,在從除了所述應答器的埋設部位以外最向輪胎內(nèi)側(cè)鼓起的位置起沿輪胎周向為+30°~+150°或-30°~-150°的范圍內(nèi)配置所述應答器。

6、發(fā)明效果

7、在本發(fā)明中,被由橡膠構(gòu)成的被覆層被覆的應答器埋設于輪胎內(nèi)部,在配置有應答器的輪胎徑向位置處的輪胎內(nèi)周上,從除了應答器的埋設部位以外最向輪胎內(nèi)側(cè)鼓起的位置起沿輪胎周向離開10°以上地配置應答器。在配置有該應答器的輪胎徑向位置處的輪胎內(nèi)周上,在除了應答器的埋設部位以外最向輪胎內(nèi)側(cè)鼓起的位置存在輪胎構(gòu)成構(gòu)件的拼接部。若在該拼接部附近配置應答器,則在硫化時被覆應答器的橡膠變得容易流動,因此需要避開拼接部地配置應答器。這樣的避開拼接部的區(qū)域也是在生胎的圓周上厚度的變動少且不易受到氣囊(bladder)的膨脹時的摩擦等的影響的區(qū)域。因此,通過從輪胎構(gòu)成構(gòu)件的拼接部起沿輪胎周向離開地配置應答器,能夠抑制在輪胎硫化時被覆應答器的被覆層的橡膠流動,能夠使得被覆層的橡膠充分覆蓋應答器整體。由此,能夠防止應答器的通信性惡化等不良情況,也實現(xiàn)輪胎的硫化故障的抑制。

8、在本發(fā)明的輪胎中,優(yōu)選的是,在配置有應答器的輪胎徑向位置處的輪胎內(nèi)周上,在從除了應答器的埋設部位以外最向輪胎內(nèi)側(cè)鼓起的位置起沿輪胎周向為+30°~+150°或-30°~-150°的范圍內(nèi)配置應答器。由此,能夠有效地抑制輪胎硫化時的被覆層的橡膠流動。

9、優(yōu)選的是,在配置有應答器的輪胎徑向位置處的輪胎內(nèi)周上,在除了應答器的埋設部位以外最向輪胎內(nèi)側(cè)鼓起的位置存在內(nèi)襯層或胎體層的拼接部。由此,能夠有效地抑制輪胎硫化時的被覆層的橡膠流動。

10、優(yōu)選的是,應答器埋設于如下位置,所述位置是從多層帶束層中的帶束寬度最寬的帶束層的末端起向輪胎徑向內(nèi)側(cè)為5mm的位置與從胎圈部的胎圈芯的上端起向輪胎徑向外側(cè)為15mm的位置之間、且沿著胎體層的法線方向測定的胎側(cè)部的總厚度ga成為輪胎最大寬度位置處的胎側(cè)部的總厚度gsw的60%~300%的范圍的位置。通過這樣配置應答器,應答器與由金屬構(gòu)成的輪胎構(gòu)成構(gòu)件(例如胎圈芯、輪輞等)分離地配置,因此,不易產(chǎn)生金屬干涉,能夠充分確保應答器的通信性能。

11、優(yōu)選的是,應答器配置于內(nèi)襯層與胎體層之間。通過這樣配置應答器,能夠防止由胎側(cè)部的損傷引起的應答器的損傷。

12、優(yōu)選的是,被覆層的總厚度gac和應答器的最大厚度gar滿足1.1≤gac/gar≤3.0的關(guān)系。由此,能夠充分確保被覆層的總厚度gac,因此能夠有效地抑制輪胎硫化時的被覆層的橡膠流動。

13、優(yōu)選的是,被覆層的總厚度gac處于應答器的埋設部位處的輪胎總厚度gt的1%~30%的范圍。由此,能夠相對于輪胎總厚度gt適度地設定被覆層的總厚度gac,因此能夠有效地抑制輪胎硫化時的被覆層的橡膠流動。

14、優(yōu)選的是,被覆層包含20phr以下的炭黑。由此,能夠降低被覆層的相對介電常數(shù)而改善應答器的通信性。

15、優(yōu)選的是,被覆層的粘度v1和與被覆層的輪胎寬度方向內(nèi)側(cè)相鄰配置的橡膠構(gòu)件的粘度v2滿足0.5<v1/v2<1.5的關(guān)系。由此,能夠有效地抑制輪胎硫化時的被覆層的橡膠流動,能夠得到硫化故障的進一步的抑制效果。

16、優(yōu)選的是,在輪胎內(nèi)表面隔開間隔地形成有多根突條,構(gòu)成應答器的ic芯片的中心位置配置于相鄰的突條之間的區(qū)域。由此,能夠有效地抑制輪胎硫化時的被覆層的橡膠流動。

17、優(yōu)選的是,多根突條的相互間隔處于3mm~50mm的范圍。由此,能夠有效地抑制輪胎硫化時的被覆層的橡膠流動。



技術(shù)特征:

1.一種輪胎,所述輪胎具備:胎面部,所述胎面部在輪胎周向上延伸而呈環(huán)狀;一對胎側(cè)部,所述一對胎側(cè)部配置于該胎面部的兩側(cè);以及一對胎圈部,所述一對胎圈部配置于這些胎側(cè)部的輪胎徑向內(nèi)側(cè),在所述一對胎圈部之間架設有胎體層,在所述胎面部處的所述胎體層的外周側(cè)配置有多層帶束層,沿著所述胎體層在輪胎內(nèi)表面配置有內(nèi)襯層,其特征在于,

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的輪胎,其特征在于,

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的輪胎,其特征在于,

4.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項所述的輪胎,其特征在于,

5.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項所述的輪胎,其特征在于,

6.根據(jù)權(quán)利要求1~5中任一項所述的輪胎,其特征在于,

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的輪胎,其特征在于,

8.根據(jù)權(quán)利要求1~7中任一項所述的輪胎,其特征在于,

9.根據(jù)權(quán)利要求1~8中任一項所述的輪胎,其特征在于,

10.根據(jù)權(quán)利要求1~9中任一項所述的輪胎,其特征在于,

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的輪胎,其特征在于,

12.一種輪胎的制造方法,將包括內(nèi)襯層和胎體層的輪胎構(gòu)成構(gòu)件層疊于成形鼓之上,將由橡膠被覆的應答器埋設于所述輪胎構(gòu)成構(gòu)件之間,成形通過使所述輪胎構(gòu)成構(gòu)件的輪胎周向的端部相互重疊而形成有拼接部的生胎,并對該生胎進行硫化,其特征在于,


技術(shù)總結(jié)
提供能夠抑制硫化時的應答器的被覆層的橡膠流動、改善應答器的通信性的輪胎及其制造方法。在具備在輪胎周向上延伸而呈環(huán)狀的胎面部(1)、配置于胎面部(1)的兩側(cè)的一對胎側(cè)部(2)、以及配置于這些胎側(cè)部(2)的輪胎徑向內(nèi)側(cè)的一對胎圈部(3)并在一對胎圈部(3)之間架設有胎體層(4)且沿著胎體層(4)在輪胎內(nèi)表面(Ts)配置有內(nèi)襯層(9)的輪胎中,被由橡膠構(gòu)成的被覆層被覆的應答器(20)埋設于輪胎內(nèi)部,在配置有應答器(20)的輪胎徑向位置處的輪胎內(nèi)周上,從除了應答器(20)的埋設部位以外最向輪胎內(nèi)側(cè)鼓起的位置起沿輪胎周向離開10°以上地配置應答器(20)。

技術(shù)研發(fā)人員:成瀨雅公
受保護的技術(shù)使用者:橫濱橡膠株式會社
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/6/12
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