本申請涉及傳感器相關(guān)，具體涉及一種傳感器及電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
1、傳感器包括殼體和基板，其中，殼體設(shè)于基板并與之圍合形成一空腔，基板在空腔的部分設(shè)有mems芯片和asic芯片，mems芯片和asic芯片電連接，asic芯片與基板電連接，以實(shí)現(xiàn)三者之間的信號傳輸。
2、當(dāng)傳感器在高溫環(huán)境下使用時，傳感器外部的熱能會向傳感器的內(nèi)部擴(kuò)散，使得傳感器內(nèi)部的溫度升高。由此，不僅會導(dǎo)致傳感器的信號傳輸強(qiáng)度降低，而且還會導(dǎo)致傳感器內(nèi)部設(shè)置的mems芯片和asic芯片的老化速度加快，從而嚴(yán)重影響傳感器的工作穩(wěn)定性及工作壽命，甚至?xí)?dǎo)致傳感器出現(xiàn)元器件失效的問題。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本申請?zhí)峁┮环N傳感器及電子設(shè)備，能夠解決現(xiàn)有的傳感器在高溫環(huán)境下使用時，會導(dǎo)致傳感器的信號傳輸強(qiáng)度降低，以及導(dǎo)致傳感器內(nèi)部設(shè)置的mems芯片和asic芯片的老化速度加快的問題。
2、為達(dá)上述目的，本申請?zhí)峁┑膫鞲衅?，包括?/p>
3、基板，具有在其厚度方向相對而設(shè)的第一側(cè)和第二側(cè)；
4、殼體，設(shè)于所述基板的第一側(cè)并與之圍合形成安裝腔；
5、感測組件，設(shè)于所述安裝腔內(nèi)，所述感測組件包括間隔布置于所述基板的第一側(cè)的asic芯片和mems芯片，所述asic芯片與所述基板電連接，并與所述mems芯片電連接；
6、隔熱結(jié)構(gòu)，用于阻擋所述傳感器外部的熱能經(jīng)所述殼體或所述基板傳遞至所述安裝腔，所述隔熱結(jié)構(gòu)包括隔熱層，所述隔熱層設(shè)于所述基板內(nèi)，且位于所述基板的第一側(cè)和第二側(cè)之間；和/或，所述隔熱結(jié)構(gòu)包括隔熱部，所述隔熱部與所述基板的第一側(cè)連接。
7、在本申請的一些實(shí)施例中，自所述基板的第一側(cè)至所述基板的第二側(cè)，所述基板由層疊設(shè)置的多個層結(jié)構(gòu)構(gòu)成；其中，
8、所述多個層結(jié)構(gòu)包括一層所述隔熱層時，該所述隔熱層的厚度t1滿足：40um≤t1≤80um；
9、所述多個層結(jié)構(gòu)包括至少兩層所述隔熱層時，相鄰兩層所述隔熱層間隔設(shè)置，每層所述隔熱層的厚度t2滿足：40um≤t2≤60um。
10、在本申請的一些實(shí)施例中，所述隔熱部包括第一隔熱墊，所述第一隔熱墊設(shè)于所述基板的第一側(cè)，且連接于所述asic芯片和所述基板之間；和/或，所述隔熱部包括第二隔熱墊，所述第二隔熱墊設(shè)于所述基板的第一側(cè)，且連接于所述mems芯片和所述基板之間。
11、在本申請的一些實(shí)施例中，所述隔熱結(jié)構(gòu)包括均設(shè)于所述基板的第一側(cè)的第一隔熱墊和第二隔熱墊，所述第一隔熱墊的厚度大于所述第二隔熱墊的厚度，且當(dāng)所述第一隔熱墊連接于所述asic芯片和所述基板之間，所述第二隔熱墊連接于所述mems芯片和所述基板之間后，所述mems芯片背對所述基板的一側(cè)與所述基板之間的距離大于所述asic芯片背對所述基板的一側(cè)與所述基板之間的距離。
12、在本申請的一些實(shí)施例中，所述隔熱部包括設(shè)于所述基板的第一側(cè)的第三隔熱墊，所述asic芯片和所述mems芯片均設(shè)于所述第三隔熱墊上。
13、在本申請的一些實(shí)施例中，所述基板上設(shè)有貫穿其的聲孔，所述聲孔與所述mems芯片對應(yīng)設(shè)置，所述第三隔熱墊上設(shè)有與所述聲孔對應(yīng)且連通的過孔，所述第三隔熱墊背對所述基板的一側(cè)設(shè)有防水層，所述防水層的部分區(qū)域覆蓋所述過孔的端部，且具有孔狀結(jié)構(gòu)。
14、在本申請的一些實(shí)施例中，自所述asic芯片至所述mems芯片的方向，所述第三隔熱墊的厚度逐漸增加。
15、在本申請的一些實(shí)施例中，所述隔熱部包括第一隔熱罩，所述第一隔熱罩罩設(shè)于所述asic芯片的外部，并與所述基板的第一側(cè)連接；和/或，所述隔熱結(jié)構(gòu)包括第二隔熱罩，所述第二隔熱罩罩設(shè)于所述mems芯片的外部，并與所述基板的第一側(cè)連接。
16、在本申請的一些實(shí)施例中，所述隔熱部包括均與所述基板的第一側(cè)連接的第一隔熱罩和第二隔熱罩，所述第一隔熱罩罩設(shè)于所述asic芯片的外部，且其上設(shè)有第一通孔，所述第二隔熱罩罩設(shè)于所述mems芯片的外部，且其上設(shè)有第二通孔；
17、其中，所述傳感器還包括：
18、第一導(dǎo)電連接線，穿過所述第一通孔和所述第二通孔，以電連接所述asic芯片與所述mems芯片；
19、第二導(dǎo)電連接線，穿過所述第一通孔，以電連接所述asic芯片與所述基板。
20、在本申請的一些實(shí)施例中，所述隔熱部包括第三隔熱罩，所述第三隔熱罩罩設(shè)于所述asic芯片和所述mems芯片的外部，并與所述基板的第一側(cè)連接，所述第三隔熱罩上設(shè)有多個第三通孔。
21、在本申請的一些實(shí)施例中，所述基板上設(shè)有貫穿所述基板的第一側(cè)和所述基板的第二側(cè)的聲孔，所述聲孔與所述mems芯片對應(yīng)設(shè)置，自所述基板的第二側(cè)至所述基板的第一側(cè)，所述聲孔的尺寸逐漸增大。
22、在本申請的一些實(shí)施例中，所述隔熱結(jié)構(gòu)由納米氣凝膠材料制成。
23、在該實(shí)施例中，由于基板內(nèi)設(shè)置有隔熱層和/或基板的第一側(cè)設(shè)有隔熱部，該隔熱層和/或隔熱部能夠阻擋傳感器外部的熱能經(jīng)基板或殼體傳遞至安裝腔。因此，在高溫環(huán)境下使用具有隔熱結(jié)構(gòu)的傳感器時，能夠有效隔絕傳感器外部的熱能傳遞至安裝腔的內(nèi)部，以避免設(shè)于安裝腔內(nèi)的感測組件處于高溫環(huán)境而導(dǎo)致其老化速度加快，甚至元器件失效的問題，從而提高了傳感器的工作穩(wěn)定性及工作壽命。
24、另一方面，本申請還提供了一種電子設(shè)備，電子設(shè)備包括如上任一技術(shù)方案所述的傳感器。
25、由于本申請?zhí)峁┑碾娮釉O(shè)備中的傳感器與上述任一技術(shù)方案所記載的傳感器具有相同的結(jié)構(gòu)，因此兩者能夠解決相同的技術(shù)問題，并且達(dá)到相同的技術(shù)效果。
1.一種傳感器，其特征在于，所述傳感器包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器，其特征在于，自所述基板的第一側(cè)至所述基板的第二側(cè)，所述基板由層疊設(shè)置的多個層結(jié)構(gòu)構(gòu)成；其中，
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器，其特征在于，所述隔熱部包括第一隔熱墊，所述第一隔熱墊設(shè)于所述基板的第一側(cè)，且連接于所述asic芯片和所述基板之間；和/或，所述隔熱部包括第二隔熱墊，所述第二隔熱墊設(shè)于所述基板的第一側(cè)，且連接于所述mems芯片和所述基板之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器，其特征在于，所述隔熱結(jié)構(gòu)包括均設(shè)于所述基板的第一側(cè)的第一隔熱墊和第二隔熱墊，所述第一隔熱墊的厚度大于所述第二隔熱墊的厚度，且當(dāng)所述第一隔熱墊連接于所述asic芯片和所述基板之間，所述第二隔熱墊連接于所述mems芯片和所述基板之間后，所述mems芯片背對所述基板的一側(cè)與所述基板之間的距離大于所述asic芯片背對所述基板的一側(cè)與所述基板之間的距離。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器，其特征在于，所述隔熱部包括設(shè)于所述基板的第一側(cè)的第三隔熱墊，所述asic芯片和所述mems芯片均設(shè)于所述第三隔熱墊上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的傳感器，其特征在于，所述基板上設(shè)有貫穿其的聲孔，所述聲孔與所述mems芯片對應(yīng)設(shè)置，所述第三隔熱墊上設(shè)有與所述聲孔對應(yīng)且連通的過孔，所述第三隔熱墊背對所述基板的一側(cè)設(shè)有防水層，所述防水層的部分區(qū)域覆蓋所述過孔的端部，且具有孔狀結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的傳感器，其特征在于，自所述asic芯片至所述mems芯片的方向，所述第三隔熱墊的厚度逐漸增加。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項所述的傳感器，其特征在于，所述隔熱部包括第一隔熱罩，所述第一隔熱罩罩設(shè)于所述asic芯片的外部，并與所述基板的第一側(cè)連接；和/或，所述隔熱結(jié)構(gòu)包括第二隔熱罩，所述第二隔熱罩罩設(shè)于所述mems芯片的外部，并與所述基板的第一側(cè)連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項所述的傳感器，其特征在于，所述隔熱部包括均與所述基板的第一側(cè)連接的第一隔熱罩和第二隔熱罩，所述第一隔熱罩罩設(shè)于所述asic芯片的外部，且其上設(shè)有第一通孔，所述第二隔熱罩罩設(shè)于所述mems芯片的外部，且其上設(shè)有第二通孔；
10.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項所述的傳感器，其特征在于，所述隔熱部包括第三隔熱罩，所述第三隔熱罩罩設(shè)于所述asic芯片和所述mems芯片的外部，并與所述基板的第一側(cè)連接，所述第三隔熱罩上設(shè)有多個第三通孔。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器，其特征在于，所述基板上設(shè)有貫穿所述基板的第一側(cè)和所述基板的第二側(cè)的聲孔，所述聲孔與所述mems芯片對應(yīng)設(shè)置，自所述基板的第二側(cè)至所述基板的第一側(cè)，所述聲孔的尺寸逐漸增大。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器，其特征在于，所述隔熱結(jié)構(gòu)由納米氣凝膠材料制成。
13.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括：