本發(fā)明涉及一種顯示裝置。
背景技術(shù)：
1、隨著信息社會的發(fā)展，對于以各種形式顯示圖像的顯示裝置的需求不斷增加。在顯示裝置中，自發(fā)光型發(fā)光顯示裝置由于不需要單獨的背光而具有重量輕且薄的優(yōu)點。
2、在這種情況下，發(fā)光顯示裝置可能需要單獨的構(gòu)造以防止反射外部光。因此，由于增加了單獨的構(gòu)造，可能會增加發(fā)光顯示裝置的制造成本。另外，由于需要額外的工藝來給發(fā)光顯示裝置配備單獨的構(gòu)造，因此發(fā)光顯示裝置的制造工藝可能變得復(fù)雜。此外，由于發(fā)光顯示裝置的厚度可能因額外的構(gòu)造而增加，因此可能存在不滿足減小發(fā)光顯示裝置的厚度的用戶需求的問題。
3、另外，顯示裝置反射的外部光越多，顯示裝置外部的物體圖像越多地被反射到顯示裝置上。因此，可能存在用戶由于糟糕的反射顏色而感到不舒服的問題。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本發(fā)明的實施例可以提供一種能夠減少反射的外部光的顯示裝置。
2、本發(fā)明的實施例可以提供一種能夠改善反射顏色的顯示裝置。
3、本發(fā)明的實施例可以提供一種顯示裝置，包括：基板；設(shè)置在基板上的阻擋層；以及設(shè)置在阻擋層下方并且包含金屬元素和氧的低反射膜，氧的含量在31.6at%至47.3at%的范圍內(nèi)。
4、本發(fā)明的實施例可以提供一種顯示裝置，包括：基板；設(shè)置在基板上的第一材料層，所述第一材料層由不透明導(dǎo)電材料形成；以及設(shè)置在第一材料層下方并包含金屬元素和氧的第二材料層，所述第二材料層中包含的氧的含量在31.6at%至47.3at%的范圍內(nèi)。
5、本發(fā)明的實施例可以提供一種顯示裝置，包括：基板；設(shè)置在基板上的阻擋層；設(shè)置在阻擋層上并且包括源極、漏極和柵極的晶體管；以及設(shè)置在源極、漏極和柵極中的至少一個和阻擋層下方并且包含金屬元素和氧的低反射膜，氧的含量在31.6at%至47.3at%的范圍內(nèi)。
6、本發(fā)明的實施例可以提供一種顯示裝置，包括：基板；設(shè)置在基板上的阻擋層；以及設(shè)置在阻擋層下方并且包含至少一種金屬元素和氧的低反射膜，氧的含量在29at%至38at%的范圍內(nèi)。
7、本發(fā)明的實施例可以提供一種顯示裝置，包括：基板；設(shè)置在基板上的阻擋層；設(shè)置在阻擋層上并且包括源極、漏極和柵極的晶體管；以及設(shè)置在源極、漏極和柵極中的至少一個和阻擋層下方并且包含至少一種金屬元素和氧的低反射膜，氧的含量在29at%至38at%的范圍內(nèi)。
8、根據(jù)本發(fā)明的實施例，可以提供一種能夠減少反射的外部光的顯示裝置。
9、根據(jù)本發(fā)明的實施例，可以提供一種能夠改善反射顏色的顯示裝置。
10、根據(jù)本發(fā)明的實施例，可以提供一種能夠減少反射的外部光的顯示裝置，從而能夠通過裝置的有效操作而實現(xiàn)低功耗。
1.一種顯示裝置，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述低反射膜包含mo、ti、ni和w中的至少一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中，所述低反射膜中包含的mo的含量等于或大于所述低反射膜中包含的ti的含量。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中，所述低反射膜中包含的mo和ti的比例在1:1至3:1的范圍內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中，所述低反射膜中包含的ti和o的比例為1:2。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中，所述低反射膜中包含的mo的含量為31.3at%，并且所述低反射膜中包含的ti的含量為21.1at%。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中，所述低反射膜中包含的o的含量為42at%。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述低反射膜設(shè)置在所述阻擋層和所述基板之間，并且所述低反射膜的下表面與所述基板接觸。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述低反射膜的厚度在150??至400??之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，還包括緩沖層，所述緩沖層設(shè)置在所述基板與所述低反射膜之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，還包括設(shè)置在所述基板上的晶體管，所述晶體管包括源極、漏極和柵極，
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置，還包括位于所述晶體管上的黑色堤層。
13.一種顯示裝置，包括：
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中，所述低反射膜包含w、y、zn和nb中的至少一種。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其中，所述低反射膜中包含的w的含量是47.8at%，所述低反射膜中包含的zn的含量是6.5at%，所述低反射膜中包含的y的含量是14.4at%。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其中，當(dāng)所述低反射膜中包含的o的含量是31.4at%時，所述低反射膜中包含的w的含量是47.8at%，所述低反射膜中包含的zn的含量是6.5at%，并且所述低反射膜中包含的y的含量是14.4at%。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其中，所述低反射膜中包含的w的含量是44.4at%，所述低反射膜中包含的zn的含量是5.5at%，所述低反射膜中包含的y的含量是16.6at%。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其中，當(dāng)所述低反射膜中包含的o的含量是33.3at%時，所述低反射膜中包含的w的含量是44.4at%，所述低反射膜中包含的zn的含量是5.5at%，并且所述低反射膜中包含的y的含量是16.6at%。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其中，所述低反射膜中包含的w的含量是41.6at%，所述低反射膜中包含的zn的含量是1.3at%，所述低反射膜中包含的y的含量是21.4at%。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其中，當(dāng)所述低反射膜中包含的o的含量是35.8at%時，所述低反射膜中包含的w的含量是41.6at%，所述低反射膜中包含的zn的含量是1.3at%，所述低反射膜中包含的y的含量是21.4at%。
21.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其中，所述低反射膜中包含的w的含量在41.6at%至47.8at%的范圍內(nèi)。
22.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其中，所述低反射膜中包含的zn的含量在1.3at%至6.5at%的范圍內(nèi)。
23.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其中，所述低反射膜中包含的y的含量在14.4at%至21.4at%的范圍內(nèi)。
24.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中，所述低反射膜設(shè)置在所述阻擋層和所述基板之間，并且與所述基板的上表面接觸。
25.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中，所述低反射膜的厚度在100?和350?之間的范圍內(nèi)。
26.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置，還包括晶體管，所述晶體管包括源極、漏極和柵極，
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的顯示裝置，還可以包括位于所述晶體管上的黑色堤層。
28.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其中，所述低反射膜中包含的w、zn、y和o的比例是7.5:1:2:5。
29.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其中，所述低反射膜中包含的w、zn、y和o的比例是8:1:3:6。
30.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其中，所述低反射膜中包含的w、zn、y和o的比例是32:1:17:28。
31.一種顯示裝置，包括：
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的顯示裝置，其中，所述低反射膜包括w、y、zn和nb中的至少一種。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的顯示裝置，其中，所述低反射膜中包含的w、zn、y和o的比例是7.5:1:2:5。
34.根據(jù)權(quán)利要求32所述的顯示裝置，其中，所述低反射膜中包含的w的含量是47.8at%，所述低反射膜中包含的zn的含量是6.5at%，所述低反射膜中包含的y的含量是14.4at%。
35.根據(jù)權(quán)利要求32所述的顯示裝置，其中，所述低反射膜中包含的w、zn、y和o的比例是8:1:3:6。
36.根據(jù)權(quán)利要求32所述的顯示裝置，其中，所述低反射膜中包含的w的含量是44.4at%，所述低反射膜中包含的zn的含量是5.5at%，所述低反射膜中包含的y的含量是16.6at%。
37.根據(jù)權(quán)利要求31所述的顯示裝置，其中，所述低反射膜的厚度在100?和350?之間的范圍內(nèi)。