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一種微透鏡陣列及其制備方法和制備系統(tǒng)

文檔序號(hào):42169684發(fā)布日期:2025-06-13 16:26閱讀:11來(lái)源:國(guó)知局

本發(fā)明涉及激光微納制造以及微納光學(xué),具體涉及一種微透鏡陣列及其制備方法和制備系統(tǒng)。


背景技術(shù):

1、微鏡陣列由緊密排列的周期性微反射鏡組成,已經(jīng)應(yīng)用在光學(xué)、通訊、天文、生物等眾多領(lǐng)域。目前,大多采用機(jī)加工的方式生產(chǎn)微反射鏡結(jié)構(gòu),生產(chǎn)效率低且成本高,部分采用光刻、刻蝕的技術(shù),這種方式在生產(chǎn)大幅面的微反射鏡陣列式,往往會(huì)因?yàn)閷?duì)準(zhǔn)問題導(dǎo)致拼接誤差。與此同時(shí),微反射鏡較高的反射效率會(huì)使得局部出現(xiàn)明顯眩光,需要使用各種昂貴的鍍膜和涂層去解決。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足,提供一種微透鏡陣列及其制備方法和制備系統(tǒng),所述微透鏡陣列的制備方法通過插入輔助圖形,在光刻拼接過程中利用輔助圖形進(jìn)行對(duì)準(zhǔn),減小了拼接誤差,且制備過程高效,成本低,適用于大規(guī)模批量生產(chǎn),通過本發(fā)明提供的方法制備的微透鏡陣列具有幅面大、精度高、反射性能好且抗眩光的優(yōu)越性。

2、為達(dá)到上述目的,本發(fā)明是采用下述技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:

3、第一方面,本發(fā)明提供了一種微透鏡陣列的制備方法,包括:

4、根據(jù)預(yù)設(shè)的微透鏡陣列結(jié)構(gòu)模型,制作具有灰度信息的光刻圖案,所述光刻圖案為微透鏡陣列子結(jié)構(gòu)的光刻圖案;

5、在所述光刻圖案中插入輔助圖形,根據(jù)光刻圖案在光刻膠上進(jìn)行多次曝光,利用輔助圖形使已光刻的微透鏡陣列子結(jié)構(gòu)和待光刻的光刻圖案邊緣對(duì)準(zhǔn)吻合,使多次曝光得到的微透鏡陣列子結(jié)構(gòu)相互拼接,得到微透鏡陣列結(jié)構(gòu);

6、將光刻膠上的目標(biāo)尺寸的微透鏡陣列結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移至uv膠上,得到微透鏡層;

7、在微透鏡層的上表面制備反射層;

8、在反射層的上表面制備保護(hù)層;

9、在微透鏡層的下表面制備吸收層;

10、在保護(hù)層的上表面制備抗眩光層,得到微透鏡陣列。

11、進(jìn)一步的,微透鏡陣列結(jié)構(gòu)模型預(yù)先構(gòu)建,預(yù)先構(gòu)建的步驟包括:構(gòu)建微透鏡陣列結(jié)構(gòu)初始模型,構(gòu)建所述微透鏡陣列結(jié)構(gòu)初始模型的反射模型,以反射光線的光學(xué)增益最大為優(yōu)化目標(biāo),對(duì)透鏡的尺寸和高度進(jìn)行優(yōu)化,得到最終的微透鏡陣列結(jié)構(gòu)模型。

12、進(jìn)一步的,所述在所述光刻圖案中插入輔助圖形,根據(jù)光刻圖案在光刻膠上進(jìn)行多次曝光,利用輔助圖形使已光刻的微透鏡陣列子結(jié)構(gòu)和待光刻的光刻圖案邊緣對(duì)準(zhǔn)吻合,使多次曝光得到的微透鏡陣列子結(jié)構(gòu)相互拼接,得到微透鏡陣列結(jié)構(gòu),包括:

13、在所述光刻圖案中插入輔助圖形,所述輔助圖形為十字圖形;

14、根據(jù)光刻圖案在光刻膠上進(jìn)行首次光刻,得到初始微透鏡陣列子結(jié)構(gòu)和基準(zhǔn)輔助圖形,所述基準(zhǔn)輔助圖形為初始微透鏡陣列子結(jié)構(gòu)中的輔助圖形;

15、重復(fù)執(zhí)行以下步驟,直至拼接成的微透鏡陣列結(jié)構(gòu)達(dá)到目標(biāo)尺寸;

16、以基準(zhǔn)輔助圖形的中心為原點(diǎn),建立基準(zhǔn)坐標(biāo)系;

17、獲取待光刻的光刻圖案在基準(zhǔn)坐標(biāo)系下的實(shí)際坐標(biāo)信息,包括待光刻的光刻圖案中輔助圖形中心點(diǎn)在基準(zhǔn)坐標(biāo)系下的實(shí)際橫坐標(biāo)、待光刻的光刻圖案中輔助圖形中心點(diǎn)的實(shí)際縱坐標(biāo)和待光刻的光刻圖案相對(duì)于初始微透鏡陣列子結(jié)構(gòu)的旋轉(zhuǎn)角;

18、根據(jù)所述實(shí)際坐標(biāo)信息,計(jì)算待光刻的光刻圖案中輔助圖形中心點(diǎn)移動(dòng)到達(dá)下一次曝光位置的x軸移動(dòng)量、y軸移動(dòng)量和旋轉(zhuǎn)角;

19、根據(jù)所述x軸移動(dòng)量、y軸移動(dòng)量和旋轉(zhuǎn)角移動(dòng)待光刻的光刻圖案,移動(dòng)完畢后進(jìn)行光刻。

20、進(jìn)一步的,所述目標(biāo)尺寸的微透鏡陣列結(jié)構(gòu)由n行m列微透鏡陣列子結(jié)構(gòu)拼接而成,則光刻第i行第j列的微透鏡陣列子結(jié)構(gòu)時(shí),所述x軸移動(dòng)量的計(jì)算方法為:

21、

22、當(dāng)為偶數(shù)時(shí),所述y軸移動(dòng)量的計(jì)算方法為:

23、

24、當(dāng)為奇數(shù)時(shí),所述y軸移動(dòng)量的計(jì)算方法為:

25、

26、所述旋轉(zhuǎn)角的計(jì)算方法為:

27、

28、其中,n≥2;m≥2;1≤i≤n;1≤j≤m;為x軸移動(dòng)量;為y軸移動(dòng)量;為旋轉(zhuǎn)角;為待光刻的光刻圖案中輔助圖形中心點(diǎn)的實(shí)際橫坐標(biāo);為待光刻的光刻圖案中輔助圖形中心點(diǎn)的實(shí)際縱坐標(biāo);為待光刻的光刻圖案相對(duì)于初始微透鏡陣列子結(jié)構(gòu)的旋轉(zhuǎn)角;為微透鏡陣列子結(jié)構(gòu)沿x軸的長(zhǎng)度;為微透鏡陣列子結(jié)構(gòu)沿y軸的長(zhǎng)度,為微透鏡橫截面的對(duì)角線長(zhǎng)度。

29、進(jìn)一步的,所述根據(jù)所述x軸移動(dòng)量、y軸移動(dòng)量和旋轉(zhuǎn)角移動(dòng)待光刻的光刻圖案,若x軸移動(dòng)量或y軸移動(dòng)量為正值,待光刻的光刻圖案向?qū)?yīng)軸負(fù)方向移動(dòng),反之向?qū)?yīng)軸正方向移動(dòng);若旋轉(zhuǎn)角為正值,光刻膠順時(shí)針旋轉(zhuǎn),反之逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)。

30、進(jìn)一步的,通過uv壓印技術(shù)將光刻膠上的微透鏡陣列結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移至uv膠上,所述uv膠的厚度為11-13μm,固化波長(zhǎng)為365nm,固化時(shí)間為100-120秒。

31、進(jìn)一步的,通過滾壓工藝在反射層的上表面制備保護(hù)層以及在微透鏡層的下表面制備吸收層;

32、制備保護(hù)層時(shí)滾壓壓力為4-6kg,熱烘溫度為85-90℃,時(shí)間為4-5min;

33、制備吸收層時(shí)滾壓壓力為8-10kg,熱烘溫度為45-50℃,時(shí)間為105-120分鐘。

34、進(jìn)一步的,所述在保護(hù)層的上表面制備抗眩光層,所述抗眩光層包括橡膠漆、固化劑和稀釋劑,所述橡膠漆、固化劑和稀釋劑的質(zhì)量比例為10:(1-1.1):(3-3.2),所述抗眩光層的厚度為20-30μm,所述抗眩光層通過噴涂和熱烘制成,其中,噴涂氣壓為0.4-0.55mpa,噴涂距離為10-15cm,熱烘溫度為65-70℃,時(shí)間為15-20min。

35、第二方面,本發(fā)明提供了一種微透鏡陣列的制備系統(tǒng),用于實(shí)現(xiàn)所述的微透鏡陣列的制備方法。

36、第三方面,本發(fā)明提供了一種微透鏡陣列,由所述的微透鏡陣列的制備方法制備得到。

37、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明所達(dá)到的有益效果:

38、本發(fā)明提供的微透鏡陣列的制備方法,通過插入輔助圖形,在光刻拼接過程中利用輔助圖形進(jìn)行對(duì)準(zhǔn),減小了拼接誤差,且制備過程高效,成本低,適用于大規(guī)模批量生產(chǎn),通過本發(fā)明提供的方法制備的微透鏡陣列具有幅面大、精度高、反射性能好且抗眩光的優(yōu)越性。



技術(shù)特征:

1.一種微透鏡陣列的制備方法,其特征在于,包括:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于:微透鏡陣列結(jié)構(gòu)模型預(yù)先構(gòu)建,預(yù)先構(gòu)建的步驟包括:構(gòu)建微透鏡陣列結(jié)構(gòu)初始模型,構(gòu)建所述微透鏡陣列結(jié)構(gòu)初始模型的反射模型,以反射光線的光學(xué)增益最大為優(yōu)化目標(biāo),對(duì)透鏡的尺寸和高度進(jìn)行優(yōu)化,得到最終的微透鏡陣列結(jié)構(gòu)模型。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于:

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法,其特征在于:所述目標(biāo)尺寸的微透鏡陣列結(jié)構(gòu)由n行m列微透鏡陣列子結(jié)構(gòu)拼接而成,則光刻第i行第j列的微透鏡陣列子結(jié)構(gòu)時(shí),所述x軸移動(dòng)量的計(jì)算方法為:

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法,其特征在于:所述根據(jù)所述x軸移動(dòng)量、y軸移動(dòng)量和旋轉(zhuǎn)角移動(dòng)待光刻的光刻圖案,包括:

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于:通過uv壓印技術(shù)將光刻膠上的微透鏡陣列結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移至uv膠上,所述uv膠的厚度為11-13μm,固化波長(zhǎng)為365nm,固化時(shí)間為100-120秒。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于:通過滾壓工藝在反射層的上表面制備保護(hù)層以及在微透鏡層的下表面制備吸收層;

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于:所述在保護(hù)層的上表面制備抗眩光層,所述抗眩光層包括橡膠漆、固化劑和稀釋劑,所述橡膠漆、固化劑和稀釋劑的質(zhì)量比例為10:(1-1.1):(3-3.2),所述抗眩光層的厚度為20-30μm,所述抗眩光層通過噴涂和熱烘制成,其中,噴涂氣壓為0.4-0.55mpa,噴涂距離為10-15cm,熱烘溫度為65-70℃,時(shí)間為15-20min。

9.一種微透鏡陣列的制備系統(tǒng),其特征在于:用于實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的微透鏡陣列的制備方法。

10.一種微透鏡陣列,其特征在于,由權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的微透鏡陣列的制備方法制備得到。


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了激光微納制造以及微納光學(xué)技術(shù)領(lǐng)域的一種微透鏡陣列及其制備方法和制備系統(tǒng),包括:根據(jù)預(yù)設(shè)的微透鏡陣列結(jié)構(gòu)模型,制作具有灰度信息的光刻圖案;在所述光刻圖案中插入輔助圖形,根據(jù)光刻圖案在光刻膠上進(jìn)行多次曝光,利用輔助圖形使已光刻的微透鏡陣列子結(jié)構(gòu)和待光刻的光刻圖案邊緣對(duì)準(zhǔn)吻合,使多次曝光得到的微透鏡陣列子結(jié)構(gòu)相互拼接,得到微透鏡陣列結(jié)構(gòu)。本發(fā)明提供的微透鏡陣列的制備方法過插入輔助圖形,在光刻拼接過程中利用輔助圖形進(jìn)行對(duì)準(zhǔn),減小了拼接誤差,且制備過程高效,成本低,適用于大規(guī)模批量生產(chǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員:張?jiān)?曹皓,程銳琦,桂成群,王德銘,陳碩
受保護(hù)的技術(shù)使用者:武漢大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/6/12
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