本公開涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地涉及一種改善涂膠缺陷的方法。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體成品通常會(huì)在測(cè)試端進(jìn)行檢測(cè)，通過測(cè)試端的顯示屏觀察顯示區(qū)域是否出現(xiàn)明暗亮度差異并還原至晶圓以確定是否存在有與光刻膠旋涂匹配的放射紋(即斜紋)。如果存在有斜紋，這需要針對(duì)光刻過程進(jìn)行改進(jìn)，以減少或消除斜紋。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、鑒于背景技術(shù)中存在的問題，本公開的一目的在于提供一種改善涂膠缺陷的方法，其能夠有效改善斜紋缺陷。

2、由此，一種改善涂膠缺陷的方法包括步驟：s1，提供多張光刻流程前的產(chǎn)品片，多張為至少三張，各張產(chǎn)品片的晶粒按照行列分布，每隔一行的晶粒在各自對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成有凹槽；s2，涂膠，獲得多張涂膠片，針對(duì)多張產(chǎn)品片，采用同一種膠但滴下容量不同的膠溶液旋涂勻膠，其余涂膠參數(shù)相同；s3，曝光，涂膠后的多張涂膠片采用相同曝光條件曝光，以得到多張曝光片；s4，顯影，曝光后的多張曝光片采用相同顯影條件顯影，以得到多張顯影片；s5，各顯影片經(jīng)后道工序形成成品，成品測(cè)試并觀察測(cè)試端的顯示圖像，確定膠的容量對(duì)斜紋缺陷的影響并確定光刻流程的批量生產(chǎn)的優(yōu)化參數(shù)和優(yōu)化工藝。

3、本公開的有益效果如下：在根據(jù)本公開的改善涂膠缺陷的方法，針對(duì)各張產(chǎn)品片的晶粒按照行列分布且每隔一行的晶粒在各自對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成有凹槽的情況，通過采用同一種膠但滴下容量不同的膠溶液旋涂勻膠而其余涂膠參數(shù)相同的涂膠過程，通過成品測(cè)試并觀察測(cè)試端的顯示圖像，確定膠的容量對(duì)斜紋缺陷的影響并確定光刻流程的批量生產(chǎn)的優(yōu)化參數(shù)和優(yōu)化工藝。如測(cè)試過程驗(yàn)證地，增加膠的容量能夠有效改善斜紋缺陷，從而提高成品良率。

技術(shù)特征：

1.一種改善涂膠缺陷的方法，其特征在于，包括步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善涂膠缺陷的方法，其特征在于，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的改善涂膠缺陷的方法，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的改善涂膠缺陷的方法，其特征在于，

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的改善涂膠缺陷的方法，其特征在于，

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的改善涂膠缺陷的方法，其特征在于，

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的改善涂膠缺陷的方法，其特征在于，

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善涂膠缺陷的方法，其特征在于，

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的改善涂膠缺陷的方法，其特征在于，

技術(shù)總結(jié)
一種改善涂膠缺陷的方法包括步驟：S1，提供多張光刻流程前的產(chǎn)品片，多張為至少三張，各張產(chǎn)品片的晶粒按照行列分布，每隔一行的晶粒在各自對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成有凹槽；S2，涂膠，獲得多張涂膠片，針對(duì)多張產(chǎn)品片，采用同一種膠但滴下容量不同的膠溶液旋涂勻膠，其余涂膠參數(shù)相同；S3，曝光，涂膠后的多張涂膠片采用相同曝光條件曝光，以得到多張曝光片；S4，顯影，曝光后的多張曝光片采用相同顯影條件顯影，以得到多張顯影片；S5，各顯影片經(jīng)后道工序形成成品，成品測(cè)試并觀察測(cè)試端的顯示圖像，確定膠的容量對(duì)斜紋缺陷的影響并確定光刻流程的批量生產(chǎn)的優(yōu)化參數(shù)和優(yōu)化工藝。由此，能夠有效改善斜紋缺陷。

技術(shù)研發(fā)人員：王岳,孫珊珊,周紅宇,李海濤
受保護(hù)的技術(shù)使用者：安徽晶微科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/8/25