本公開涉及一種半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)：
1、在專利文獻(xiàn)1中，公開了具備第一半導(dǎo)體元件以及與該第一半導(dǎo)體元件導(dǎo)通的第一引線的半導(dǎo)體裝置的一例。第一半導(dǎo)體元件是mosfet等開關(guān)元件。第一引線包括導(dǎo)電接合有第一半導(dǎo)體元件的第一焊盤以及與該第一焊盤連結(jié)的第一端子。通過對(duì)第一端子施加直流電壓并且驅(qū)動(dòng)第一半導(dǎo)體元件，能夠?qū)⒅绷麟娏D(zhuǎn)換為交流電力。
2、專利文獻(xiàn)1所公開的半導(dǎo)體裝置還具備覆蓋第一焊盤以及第一半導(dǎo)體元件的封固樹脂。從第一半導(dǎo)體元件產(chǎn)生的熱被傳導(dǎo)至第一焊盤。由此，在第一焊盤產(chǎn)生相對(duì)于封固樹脂相對(duì)較大的熱應(yīng)變，因此在第一焊盤與封固樹脂的邊界產(chǎn)生熱應(yīng)力。該熱應(yīng)力傳遞到第一半導(dǎo)體元件與封固樹脂的邊界。若該熱應(yīng)力變大，則有可能產(chǎn)生第一半導(dǎo)體元件與封固樹脂的邊界處的剝離、在該第一半導(dǎo)體元件的鈍化膜產(chǎn)生龜裂。因此，期望降低該熱應(yīng)力的對(duì)策。
3、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
4、專利文獻(xiàn)
5、專利文獻(xiàn)1：日本特開2018-14490號(hào)公報(bào)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、發(fā)明所要解決的課題
2、本公開的一個(gè)課題在于提供一種與以往相比實(shí)施了改良的半導(dǎo)體裝置。特別是本公開鑒于上述情況，其一個(gè)課題在于提供一種能夠降低在半導(dǎo)體元件與封固樹脂的邊界產(chǎn)生的熱應(yīng)力的半導(dǎo)體裝置。
3、用于解決課題的方案
4、由本公開的第一方案提供的半導(dǎo)體裝置具備：第一芯片焊盤；第一半導(dǎo)體元件，其與所述第一芯片焊盤接合；封固樹脂，其覆蓋所述第一半導(dǎo)體元件；以及加強(qiáng)材料，其與所述第一芯片焊盤接合，所述加強(qiáng)材料的線膨脹系數(shù)小于所述封固樹脂的線膨脹系數(shù)。
5、發(fā)明效果
6、根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠降低在半導(dǎo)體裝置中在半導(dǎo)體元件與封固樹脂的邊界產(chǎn)生的熱應(yīng)力。
7、本公開的其他特征以及優(yōu)點(diǎn)通過基于附圖在以下進(jìn)行的詳細(xì)的說明而變得更加明確。
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
8.根據(jù)權(quán)利要求4至7中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還具備：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
15.根據(jù)權(quán)利要求9至14中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還具備：
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還具備：