本技術(shù)涉及掩模版生產(chǎn)，特別是涉及一種掩模版坐標(biāo)校準(zhǔn)方法、裝置、設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)。

背景技術(shù)：

1、掩模版(photomask)又稱光罩，是微電子制造過(guò)程中的圖形轉(zhuǎn)移母版，功能類(lèi)似于傳統(tǒng)照相機(jī)的“底片”，是承載圖形設(shè)計(jì)和工藝技術(shù)等知識(shí)產(chǎn)權(quán)信息的載體，是平板顯示、半導(dǎo)體、觸控、電路板等行業(yè)生產(chǎn)制造過(guò)程中重要的關(guān)鍵材料。掩模版的作用是將設(shè)計(jì)者的電路圖形通過(guò)曝光的方式轉(zhuǎn)移到下游行業(yè)的基板或晶圓上，從而實(shí)現(xiàn)批量化生產(chǎn)。以tft-lcd制造為例，利用掩模版的曝光掩蔽作用，將設(shè)計(jì)好的tft陣列和彩色濾光片圖形按照薄膜晶體管的膜層結(jié)構(gòu)順序，依次曝光轉(zhuǎn)移至玻璃基板，最終形成多個(gè)膜層所疊加的顯示器件；以晶圓制造為例，其制造過(guò)程需要經(jīng)過(guò)多次曝光工藝，利用掩模版的曝光掩蔽作用，在半導(dǎo)體晶圓表面形成柵極、源漏極、摻雜窗口、電極接觸孔等。作為光刻復(fù)制圖形的基準(zhǔn)和藍(lán)本，掩模版是連接工業(yè)設(shè)計(jì)和工藝制造的關(guān)鍵，掩模版的精度和質(zhì)量水平會(huì)直接影響最終下游制品的優(yōu)品率。

2、現(xiàn)有掩模版曝光設(shè)備、位置精度測(cè)量設(shè)備都需要有精確的坐標(biāo)系統(tǒng)。一般在裝機(jī)時(shí)需要做系統(tǒng)校準(zhǔn)，并定期監(jiān)控，發(fā)現(xiàn)異常時(shí)需要重新校準(zhǔn)。通常的校準(zhǔn)是通過(guò)“金版”(goldenplate)，該“金版”為一塊帶有測(cè)量數(shù)據(jù)的掩模版，這個(gè)測(cè)量數(shù)據(jù)一般由更高一級(jí)的設(shè)備測(cè)得。但為了超高精度需要校準(zhǔn)時(shí)，獲得這樣一塊金版數(shù)據(jù)并不容易。綜上所述，現(xiàn)有掩模版設(shè)備校準(zhǔn)方法金版不易得、金版數(shù)據(jù)可靠性不易保證的問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、基于此，有必要針對(duì)上述技術(shù)問(wèn)題，提供一種能夠在不需要帶有測(cè)量數(shù)據(jù)的金版的情況下，完成坐標(biāo)測(cè)量系統(tǒng)的校準(zhǔn)，并計(jì)算出校準(zhǔn)版的參考數(shù)據(jù)的掩模版坐標(biāo)校準(zhǔn)方法、裝置、設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)。

2、一種掩模版坐標(biāo)校準(zhǔn)方法，所述方法包括：

3、獲得一張目標(biāo)掩模版，所述目標(biāo)掩模版為測(cè)量及校準(zhǔn)后的金版；

4、建立掩模版設(shè)備的坐標(biāo)系和所述目標(biāo)掩模版的測(cè)量坐標(biāo)系；

5、分別以n個(gè)角度測(cè)量所述目標(biāo)掩模版的測(cè)量矩陣，所述n為大于等于2的正整數(shù)；

6、將所述掩模版設(shè)備的坐標(biāo)校準(zhǔn)參數(shù)分為線性誤差校準(zhǔn)參數(shù)和非線性誤差校準(zhǔn)參數(shù)；

7、分別以所述線性誤差校準(zhǔn)參數(shù)、非線性誤差校準(zhǔn)參數(shù)對(duì)所述測(cè)量矩陣進(jìn)行誤差補(bǔ)正以完成所述測(cè)量坐標(biāo)系的校準(zhǔn)，獲得校準(zhǔn)后的測(cè)量坐標(biāo)。

8、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述目標(biāo)掩模版上設(shè)置有測(cè)量點(diǎn)，所述測(cè)量點(diǎn)為在所述目標(biāo)掩模版表面對(duì)稱分布。

9、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述線性誤差校準(zhǔn)參數(shù)包括x軸縮放系數(shù)、y軸縮放系數(shù)、x軸正交性誤差、y軸正交性誤差、x軸平移偏移量和y軸平移偏移量。

10、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述在所述測(cè)量坐標(biāo)系中，分別以n個(gè)角度測(cè)量所述目標(biāo)掩模版的測(cè)量矩陣包括：

11、對(duì)測(cè)量點(diǎn)(x,y)在旋轉(zhuǎn)角度θ后，真實(shí)坐標(biāo)變換為(x′,y′)＝rθ(x,y)，則設(shè)備測(cè)量值為

12、umeasured＝kxx′+sy′+δx；

13、vmeasured＝kyy′+tx′+δy；

14、其中，kx為x軸縮放系數(shù)、ky為y軸縮放系數(shù)、s為x軸正交性誤差、t為y軸正交性誤差、δx為x軸平移偏移量和δy為y軸平移偏移量；

15、旋轉(zhuǎn)所述n個(gè)角度后，由所有所述設(shè)備測(cè)量值獲得所述目標(biāo)掩模版的測(cè)量矩陣。

16、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述n個(gè)角度具體為0°、90°、180°和270°。

17、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述分別以所述線性誤差校準(zhǔn)參數(shù)、非線性誤差校準(zhǔn)參數(shù)對(duì)所述測(cè)量矩陣進(jìn)行誤差補(bǔ)正以完成所述測(cè)量坐標(biāo)系的校準(zhǔn)，獲得補(bǔ)正后的測(cè)量坐標(biāo)包括：

18、對(duì)每個(gè)測(cè)量點(diǎn)(x,y)，在所述n個(gè)角度下生成2n個(gè)包括所述線性誤差校準(zhǔn)參數(shù)的表達(dá)式,使用最小二乘法求解,獲得所述線性誤差校準(zhǔn)參數(shù)；

19、根據(jù)所述線性誤差校準(zhǔn)參數(shù)，對(duì)所述設(shè)備測(cè)量值做線性誤差補(bǔ)正，

20、ulinear＝kxx+sy+δx；

21、vlinear＝kyy+tx+δy；

22、其中，線性補(bǔ)正后的測(cè)量坐標(biāo)為(ulinear、vlinear)；

23、根據(jù)線性補(bǔ)正后的所述設(shè)備測(cè)量值和所述非線性補(bǔ)正系數(shù)，構(gòu)建非線性誤差模型,獲得補(bǔ)正后的測(cè)量坐標(biāo)(ufinal、vfinal)，

24、ufinal＝a+bulinear+cvlinear+du2linear+eulinearvlinear+fv3linear+gv4linear+hv5linear+iv6linear+jv7linear+kv8linear；

25、vfinal＝l+mvlinear+nulinear+ov2linear+pulinearvlinear+qu3linear+ru4linear+su5linear+tu6linear+uu7linear+vu8linear；

26、其中，a、b、c、d、e、f、g、h、i、j、k、l、m、n、o、p、q、r、s、t、u、v為非線性補(bǔ)正系數(shù)。

27、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述方法還包括：

28、以所述校準(zhǔn)后的測(cè)量坐標(biāo)作為所述掩模版設(shè)備進(jìn)行曝光或位置精度測(cè)量作業(yè)的坐標(biāo)系統(tǒng)進(jìn)行作業(yè)。

29、一種掩模版坐標(biāo)校準(zhǔn)裝置，所述裝置包括：

30、金版獲取單元，用于獲得一張目標(biāo)掩模版，所述目標(biāo)掩模版為測(cè)量及校準(zhǔn)后的金版；

31、坐標(biāo)系建立單元，用于建立掩模版設(shè)備的坐標(biāo)系和所述目標(biāo)掩模版的測(cè)量坐標(biāo)系；

32、旋轉(zhuǎn)測(cè)量單元，用于分別以n個(gè)角度測(cè)量所述目標(biāo)掩模版的測(cè)量矩陣，所述n為大于等于2的正整數(shù)；

33、參數(shù)分類(lèi)單元，用于將所述掩模版設(shè)備的坐標(biāo)校準(zhǔn)參數(shù)分為線性誤差校準(zhǔn)參數(shù)和非線性誤差校準(zhǔn)參數(shù)；

34、誤差補(bǔ)正單元，用于分別以所述線性誤差校準(zhǔn)參數(shù)、非線性誤差校準(zhǔn)參數(shù)對(duì)所述測(cè)量矩陣進(jìn)行誤差補(bǔ)正以完成所述測(cè)量坐標(biāo)系的校準(zhǔn)，獲得校準(zhǔn)后的測(cè)量坐標(biāo)。

35、一種掩模版設(shè)備，包括存儲(chǔ)器和處理器，所述存儲(chǔ)器存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，所述處理器執(zhí)行所述計(jì)算機(jī)程序時(shí)實(shí)現(xiàn)以下步驟：

36、獲得一張目標(biāo)掩模版，所述目標(biāo)掩模版為測(cè)量及校準(zhǔn)后的金版；

37、建立掩模版設(shè)備的坐標(biāo)系和所述目標(biāo)掩模版的測(cè)量坐標(biāo)系；

38、分別以n個(gè)角度測(cè)量所述目標(biāo)掩模版的測(cè)量矩陣，所述n為大于等于2的正整數(shù)；

39、將所述掩模版設(shè)備的坐標(biāo)校準(zhǔn)參數(shù)分為線性誤差校準(zhǔn)參數(shù)和非線性誤差校準(zhǔn)參數(shù)；

40、分別以所述線性誤差校準(zhǔn)參數(shù)、非線性誤差校準(zhǔn)參數(shù)對(duì)所述測(cè)量矩陣進(jìn)行誤差補(bǔ)正以完成所述測(cè)量坐標(biāo)系的校準(zhǔn)，獲得校準(zhǔn)后的測(cè)量坐標(biāo)。

41、一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其上存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)以下步驟：

42、獲得一張目標(biāo)掩模版，所述目標(biāo)掩模版為測(cè)量及校準(zhǔn)后的金版；

43、建立掩模版設(shè)備的坐標(biāo)系和所述目標(biāo)掩模版的測(cè)量坐標(biāo)系；

44、分別以n個(gè)角度測(cè)量所述目標(biāo)掩模版的測(cè)量矩陣，所述n為大于等于2的正整數(shù)；

45、將所述掩模版設(shè)備的坐標(biāo)校準(zhǔn)參數(shù)分為線性誤差校準(zhǔn)參數(shù)和非線性誤差校準(zhǔn)參數(shù)；

46、分別以所述線性誤差校準(zhǔn)參數(shù)、非線性誤差校準(zhǔn)參數(shù)對(duì)所述測(cè)量矩陣進(jìn)行誤差補(bǔ)正以完成所述測(cè)量坐標(biāo)系的校準(zhǔn)，獲得校準(zhǔn)后的測(cè)量坐標(biāo)。

47、上述掩模版坐標(biāo)校準(zhǔn)方法、裝置、掩模版設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)，通過(guò)獲得一張目標(biāo)掩模版，所述目標(biāo)掩模版為測(cè)量及校準(zhǔn)后的金版；建立掩模版設(shè)備的坐標(biāo)系和所述目標(biāo)掩模版的測(cè)量坐標(biāo)系；分別以n個(gè)角度測(cè)量所述目標(biāo)掩模版的測(cè)量矩陣，所述n為大于等于2的正整數(shù)；將所述掩模版設(shè)備的坐標(biāo)校準(zhǔn)參數(shù)分為線性誤差校準(zhǔn)參數(shù)和非線性誤差校準(zhǔn)參數(shù)；分別以所述線性誤差校準(zhǔn)參數(shù)、非線性誤差校準(zhǔn)參數(shù)對(duì)所述測(cè)量矩陣進(jìn)行誤差補(bǔ)正以完成所述測(cè)量坐標(biāo)系的校準(zhǔn)，獲得校準(zhǔn)后的測(cè)量坐標(biāo)。本技術(shù)通過(guò)未知金版的旋轉(zhuǎn)測(cè)量，校準(zhǔn)測(cè)量設(shè)備并得出金版數(shù)據(jù)，完成坐標(biāo)測(cè)量系統(tǒng)的校準(zhǔn)可解決金版不易得、金版數(shù)據(jù)可靠性不易保證的問(wèn)題。