本發(fā)明涉及成膜方法。
背景技術(shù)：
1、例如，專利文獻(xiàn)1提出了一種基板處理方法，在基板中的絕緣膜間的間隙埋入金屬膜時(shí)，可提高該金屬膜的填充性。專利文獻(xiàn)1中實(shí)施：向基板供給成膜氣體，在各間隙形成金屬膜的第1成膜工序，和接下來向基板供給蝕刻氣體，蝕刻金屬膜表層的蝕刻工序，和之后向基板供給成膜氣體，在各間隙填充金屬膜的第2成膜工序。
2、例如，專利文獻(xiàn)2提出，在包括接觸孔內(nèi)的底面的基板全表面上，在ticl4氣體和h2氣體的存在下，通過等離子cvd形成非常薄的ti(鈦)金屬膜，然后進(jìn)行蝕刻工序。蝕刻工序中，作為蝕刻氣體，僅流通ticl4氣體，由此，在不產(chǎn)生等離子的情況下，將鈦金屬膜的表面以指定厚度蝕刻除去。
3、【現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)】
4、【專利文獻(xiàn)】
5、【專利文獻(xiàn)1】特開2022-117843號(hào)公報(bào)
6、【專利文獻(xiàn)2】特開2001-210713號(hào)公報(bào)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、【發(fā)明要解決的課題】
2、本發(fā)明提供一種成膜方法，可形成覆蓋率較好的含金屬的膜。
3、【解決課題的手段】
4、根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，提供一種成膜方法，其在基板上形成的凹部上形成氮化鈦膜，所述成膜方法包含如下工序，(a)在處理容器內(nèi)準(zhǔn)備所述基板的工序，(b)向所述處理容器內(nèi)供給包括含金屬氣體的成膜氣體，形成所述氮化鈦膜的工序，以及(c)向所述處理容器內(nèi)供給包括含金屬氣體的蝕刻氣體，蝕刻所述氮化鈦膜的工序，(d)將所述(b)工序和所述(c)工序依次重復(fù)執(zhí)行，所述(b)中的含金屬氣體為tibr4氣體或ticl4氣體，所述(c)中的含金屬氣體為tibr4氣體。
5、【發(fā)明的效果】
6、根據(jù)一個(gè)方面，可形成覆蓋率良好的含金屬的膜。
1.一種成膜方法，其在基板上形成的凹部上形成氮化鈦膜，所述成膜方法包括：
2.一種成膜方法，其在基板上形成的凹部上形成鈦膜，所述成膜方法包括：
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜方法，所述(c)工序中，
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成膜方法，所述(c)工序中，
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜方法，所述(b)工序和所述(c)工序中供給的所述含金屬氣體為相同氣體。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的成膜方法，所述(b)工序和所述(c)工序中供給的所述含金屬氣體為不同氣體。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜方法，所述(b)工序中，
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成膜方法，所述(b)工序中，
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的成膜方法，所述(b)工序和所述(c)工序中，載置所述基板的臺(tái)面的溫度相同。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的成膜方法，還包含(e)工序：在所述(d)工序中，將所述(b)工序和所述(c)工序重復(fù)執(zhí)行的次數(shù)達(dá)到第1設(shè)定次數(shù)時(shí)，通過tibr4氣體執(zhí)行所述處理容器內(nèi)的短期清潔。
11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的成膜方法，所述(e)工序、所述(b)工序和所述(c)工序中，載置所述基板的臺(tái)面的溫度相同。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的成膜方法，還包含(f)工序：在所述(d)工序中，將所述(b)工序和所述(c)工序重復(fù)執(zhí)行的次數(shù)達(dá)到多于所述第1設(shè)定次數(shù)的第2設(shè)定次數(shù)時(shí)，通過clf3氣體執(zhí)行所述處理容器內(nèi)的清潔。
13.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的成膜方法，所述(b)工序和所述(c)工序在相同的所述處理容器中連續(xù)執(zhí)行。
14.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的成膜方法，重復(fù)執(zhí)行以下步驟：將所述(b)工序1次或多次執(zhí)行后，執(zhí)行所述(c)工序。
15.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的成膜方法，所述(c)工序中，載置所述基板的臺(tái)面的溫度為350℃～530℃。