本發(fā)明涉及一種新的氮化硅燒結(jié)體。具體而言，本發(fā)明提供相對于室溫下的體積電阻率，高溫下的體積電阻率的降低極少的氮化硅燒結(jié)體。
背景技術(shù)：
1、氮化硅燒結(jié)體具有高熱傳導(dǎo)性、高絕緣性、高強(qiáng)度等優(yōu)異的特性，因此作為各種工業(yè)材料受到關(guān)注。上述氮化硅燒結(jié)體在室溫下顯示出高的體積電阻率，但在高溫下體積電阻率顯著降低，因此在用作使用溫度達(dá)200℃以上的功率模塊等基板時，有可能難以維持充分的絕緣耐受性。
2、以往，報道了為了抑制高溫下的體積電阻率的降低，通過在氮氣氣氛下加熱形成有電路的氮化硅燒結(jié)體電路基板來提高高溫下的電絕緣性的技術(shù)(參照專利文獻(xiàn)1)。另外，公開了含有規(guī)定量的mg或規(guī)定量的mg和y2o3的氮化硅燒結(jié)體在高溫下的電絕緣性高，作為其作用機(jī)制，推測是由于上述元素固溶于氮化硅的結(jié)晶粒子中或mgo溶解而覆蓋構(gòu)成燒結(jié)體的結(jié)晶粒子(參照專利文獻(xiàn)2)。
3、但是，在上述任一種氮化硅燒結(jié)體中，對高溫時的體積電阻率降低的抑制都不充分，還有進(jìn)一步改良的余地。
4、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
5、專利文獻(xiàn)
6、專利文獻(xiàn)1：日本特開2001-77245號公報
7、專利文獻(xiàn)2：日本特開2001-64080號公報
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、發(fā)明要解決的課題
2、因此，本發(fā)明的目的在于，提供相對于室溫下的體積電阻率，高溫下的體積電阻率的降低與以往的氮化硅燒結(jié)體相比極少的氮化硅燒結(jié)體。
3、解決課題手段
4、為了解決上述課題，本發(fā)明人反復(fù)進(jìn)行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，通過使特定的元素以特定量固溶于構(gòu)成氮化硅燒結(jié)體的氮化硅結(jié)晶粒子，能夠有效地抑制高溫下的體積電阻率的降低，從而完成了本發(fā)明。
5、即，根據(jù)本發(fā)明，提供一種氮化硅燒結(jié)體，其特征在于，在構(gòu)成燒結(jié)體的氮化硅粒子中以0.01～0.15質(zhì)量％的濃度固溶含有選自ti、ge、zr、ag、ba和hf中的至少1種元素。
6、另外，上述氮化硅燒結(jié)體的固溶于上述氮化硅粒子中的p、cr、mn和fe元素的合計濃度被調(diào)整為0.05質(zhì)量％以下，這是因為能夠進(jìn)一步抑制高溫下的體積電阻率的降低，所以是優(yōu)選的。
7、發(fā)明效果
8、本發(fā)明的氮化硅燒結(jié)體即使在作為功率模塊等基板的用途中實用的使用溫度下，也能夠較高地維持室溫下的高體積電阻率，在用于該用途時能夠維持充分的絕緣耐性。
1.一種氮化硅燒結(jié)體，其特征在于，在構(gòu)成燒結(jié)體的氮化硅粒子中以0.01～0.15質(zhì)量％的濃度固溶含有選自ti、ge、zr、ag、ba和hf中的至少1種元素。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化硅燒結(jié)體，其中，固溶于所述氮化硅粒子中的p、cr、mn和fe元素的合計濃度為0.05質(zhì)量％以下。