本發(fā)明涉及微型顯示領域，尤其涉及一種顯示面板及其制作方法、顯示裝置。

背景技術：

1、micro?led（微米級發(fā)光二極管）顯示技術因其亮度高、對比度高、分辨率高、壽命長等優(yōu)點受到關注。micro?led?顯示面板的設計理念是將?micro?led?芯片直接作為顯示像素點，以此作為成像的基本單位，從而實現圖像顯示。在巨量轉移后，通常采用激光焊接技術將led芯片電極與tft?(thin?film?transistor，薄膜晶體管)背板bump（金屬凸點）鍵合連通。在激光焊接時，通常采用線掃或面掃激光，采用統(tǒng)一的激光參數，容易產生以下問題：

2、（1）由于背板上金屬密度分布不均，比如異形透明顯示面板中，四周異形區(qū)通常有高密度的vsr?(vertical?shift?register，垂直移位寄存器）線路，導致激光焊接時高金屬密度區(qū)背板溫度高，背板開裂風險大。

3、（2）micro?led?顯示面板中，通常采用紅、綠、藍三種顏色的micro?led?芯片直接排列的方式實現全彩色顯示。由于不同顏色的芯片所用材料、結構不同，相應的電極材料的物理特性和工藝約束也不同，藍綠光的芯片電極以高反射金屬為主，紅光的芯片電極以透明導電氧化物或超薄金屬為主，從而導致激光焊接鍵合強度和焊料溢出程度不同，比如激光參數高會導致紅光芯片電極過熔或焊料溢出短路，激光參數低可能會導致藍綠芯片電極虛焊。

技術實現思路

1、本發(fā)明實施例提供一種顯示面板及其制作方法、顯示裝置，以避免激光焊接時背板開裂的風險，保證電極焊接質量。

2、一方面，本發(fā)明實施例提供一種顯示面板，包括：

3、背板，所述背板上設置有多個鍵合電極；

4、多個發(fā)光芯片，所述發(fā)光芯片包括芯片電極；所述芯片電極分別與所述鍵合電極通過激光焊接固定；

5、所述背板包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域的金屬密度高于第二區(qū)域的金屬密度；

6、所述第一區(qū)域的鍵合電極的熔點高于所述第二區(qū)域的鍵合電極的熔點；和/或所述第一區(qū)域的芯片電極的熔點高于所述第二區(qū)域的芯片電極的熔點。

7、可選地，所述第一區(qū)域為所述背板的邊緣區(qū)域，所述第二區(qū)域為所述背板顯示區(qū)的部分區(qū)域。

8、可選地，所述發(fā)光芯片包括第一顏色發(fā)光芯片和第二顏色發(fā)光芯片；

9、與所述第一顏色發(fā)光芯片的芯片電極連接的所述鍵合電極的熔點高于與所述第二顏色發(fā)光芯片的芯片電極連接的所述鍵合電極的熔點；和/或

10、所述第一顏色發(fā)光芯片的芯片電極的熔點高于所述第二顏色發(fā)光芯片的芯片電極的熔點。

11、可選地，所述第一顏色發(fā)光芯片為紅光micro?led芯片，所述第二顏色發(fā)光芯片為藍光micro?led芯片和綠光micro?led芯片。

12、另一方面，本發(fā)明實施例還提供一種顯示裝置，包括所述的顯示面板。

13、另一方面，本發(fā)明實施例還提供一種顯示面板的制作方法，所述方法包括：

14、提供背板，所述背板包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域的金屬密度高于第二區(qū)域的金屬密度；所述背板上設置有多個鍵合電極；

15、將預制的發(fā)光芯片轉移至所述背板上的第二區(qū)域和第一區(qū)域；

16、所述第一區(qū)域的鍵合電極的熔點高于所述第二區(qū)域的鍵合電極的熔點；和/或轉移至所述第一區(qū)域的發(fā)光芯片的芯片電極的熔點高于轉移至所述第二區(qū)域的發(fā)光芯片的芯片電極的熔點；

17、通過激光焊接使所述芯片電極與所述背板上的鍵合電極固定連接。

18、可選地，所述方法還包括：提供轉移基板，在所述轉移基板上生成具有第一芯片電極的發(fā)光芯片和具有第二芯片電極的發(fā)光芯片，所述第一芯片電極的熔點高于所述第二芯片電極的熔點。

19、可選地，所述將預制的發(fā)光芯片轉移至所述背板上的第二區(qū)域和第一區(qū)域包括：通過巨量轉移將所述轉移基板上具有所述第二芯片電極的發(fā)光芯片轉移至所述背板的第二區(qū)域，同時將具有所述第一芯片電極的發(fā)光芯片轉移至所述背板的第一區(qū)域。

20、可選地，所述將預制的發(fā)光芯片轉移至所述背板上的第二區(qū)域和第一區(qū)域包括：

21、通過巨量轉移將所述轉移基板上具有所述第二芯片電極的發(fā)光芯片轉移至所述背板的第二區(qū)域；

22、通過印章轉移將所述轉移基板上具有所述第一芯片電極的發(fā)光芯片轉移至所述背板的第一區(qū)域。

23、可選地，所述方法還包括：

24、提供第一轉移基板，在所述第一轉移基板上生成具有第一芯片電極的發(fā)光芯片；

25、提供第二轉移基板，在所述第二轉移基板上生成具有第二芯片電極的發(fā)光芯片；所述第一芯片電極的熔點高于所述第二芯片電極的熔點；

26、所述將預制的發(fā)光芯片轉移至所述背板上的第二區(qū)域和第一區(qū)域包括：

27、將所述第二轉移基板上的發(fā)光芯片轉移至所述背板上的第二區(qū)域；

28、將所述第一轉移基板上的發(fā)光芯片轉移至所述背板上的第一區(qū)域。

29、可選地，所述第一區(qū)域為所述背板的邊緣區(qū)域，所述第二區(qū)域為所述背板的顯示區(qū)域。

30、可選地，所述第一區(qū)域的發(fā)光芯片和所述第二區(qū)域的發(fā)光芯片為同一顏色芯片。

31、可選地，所述發(fā)光芯片包括第一顏色發(fā)光芯片和第二顏色發(fā)光芯片；

32、所述背板的第一區(qū)域和第二區(qū)域分別包括與所述第一顏色發(fā)光芯片的芯片電極連接的第一鍵合電極和與所述第二顏色發(fā)光芯片的芯片電極連接的第二鍵合電極；

33、所述第一鍵合電極的熔點高于所述第二鍵合電極的熔點；和/或所述第一顏色發(fā)光芯片的芯片電極的熔點高于所述第二顏色發(fā)光芯片的芯片電極的熔點。

34、可選地，所述第一顏色發(fā)光芯片為紅光micro?led芯片，所述第二顏色發(fā)光芯片為藍光micro?led芯片和綠光micro?led芯片。

35、可選地，所述芯片電極和/或所述鍵合電極包括錫基焊料層，所述方法還包括：通過不同的元素摻雜調整所述電極的熔點，高熔點電極的所述錫基焊料層中摻雜高熔點元素，低熔點電極的所述錫基焊料層中摻雜低熔點元素。

36、可選地，所述錫基焊料層為錫基合金薄膜；所述方法還包括：通過濺射或蒸鍍方式在所述電極上形成所述錫基合金薄膜。

37、可選地，所述高熔點元素包括以下任意一種或多種：銀、銅；所述低熔點元素包括以下任意一種或多種：鉍、錫、鉛、銦。

38、可選地，所述芯片電極和/或所述鍵合電極包括焊接金屬層，所述方法還包括：通過改變所述焊接金屬層中特定金屬的含量調整所述電極的熔點。

39、可選地，所述焊接金屬層為金銦薄膜，高熔點電極的金銦薄膜中銦的含量低于低熔點電極的金銦薄膜中銦的含量。

40、可選地，所述方法還包括：通過濺射或蒸鍍方式在所述電極上形成所述金銦薄膜。

41、可選地，所述芯片電極包括鍍金層，所述鍵合電極包括鍍銦層；

42、高熔點的鍵合電極的鍍銦層的厚度或面積小于低熔點的鍵合電極的鍍銦層的厚度或面積。

43、可選地，所述芯片電極包括鍍金層，所述鍵合電極包括銦球；高熔點的鍵合電極的銦球體積小于低熔點的鍵合電極的銦球體積。

44、相較于現有技術，本發(fā)明提供的技術方案至少具有以下優(yōu)點：

45、本發(fā)明實施例提供的顯示面板及其制作方法、顯示裝置，針對背板不同區(qū)域的金屬密度不同、以及在電極焊接時通常采用線掃或面掃方式這些特點，對位于金屬密度較高的第一區(qū)域的鍵合電極和/或芯片電極與位于金屬密度較低的第二區(qū)域的鍵合電極和/或芯片電極進行不同設計，使第一區(qū)域的鍵合電極的熔點高于第二區(qū)域的鍵合電極的熔點，和/或第一區(qū)域的芯片電極的熔點高于第二區(qū)域的芯片電極的熔點。通過在高溫度焊接位置采用高熔點金屬做補償設計，可以在激光焊接時，使背板不同區(qū)域的溫度盡可能保持一致，有效避免了激光焊接時背板由于不同區(qū)域溫度不同而導致的開裂風險，保證了顯示面板的制備良率和品質。

46、進一步地，針對紅光發(fā)光芯片和藍綠發(fā)光芯片材料、結構的差異，將與不同顏色發(fā)光芯片的芯片電極連接的鍵合電極設計為具有不同的熔點，和/或將不同顏色發(fā)光芯片的芯片電極設計為具有不同的熔點，可以保證在相同的激光參數下不同顏色的發(fā)光芯片電極不會出現過熔、以及短路或虛焊的情況，提升激光焊接質量，更好地保證產品質量。