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、內(nèi)容可尋址存儲器(“cam”)是一種計算存儲器，在其中存儲的數(shù)據(jù)是通過內(nèi)容而不是位置進(jìn)行搜索的。當(dāng)將一個“字”輸入cam時，cam在其內(nèi)容中搜索該字。如果cam找到了該字(即“返回匹配”)，那么cam返回找到的字所在的位置的地址。cam的各個單元(在本文中稱為cam單元)可被排列成行和列...

本公開關(guān)于一種半導(dǎo)體裝置，特別有關(guān)于一種用于存儲裝置的頁緩沖電路及其操作方法。、隨著人工智能技術(shù)的崛起，已發(fā)展出人工智能運算所需的各種基本演算，諸如向量-向量的乘法(vector-vector-multiply，vvm)、以及乘法累加(multiply-accumulate，mac)?；?..

本公開內(nèi)容是有關(guān)于一種存儲器技術(shù)，特別是關(guān)于一種存儲器裝置及存儲器裝置的操作方法。、存儲器裝置包含多個用以儲存數(shù)據(jù)位的存儲器單元。存儲器單元可以比較數(shù)據(jù)位(data?bit)及搜索位(search?bit)以進(jìn)行搜索操作。在搜索操作時，存儲器單元依據(jù)比較結(jié)果產(chǎn)生對應(yīng)的電流信號。然而，電流信...

本申請涉及存儲，特別涉及一種存儲器、存儲系統(tǒng)、存儲器的編程方法及電子設(shè)備。、三維(-dimension，d)存儲器中包括多個存儲單元，根據(jù)存儲單元所能夠存儲的數(shù)據(jù)的多少，可以將存儲單元的類型劃分為單級存儲單元(single-level?cell，slc)、雙級存儲單元(multi-leve...

本發(fā)明涉及集成電路設(shè)計領(lǐng)域，特別是涉及一種可調(diào)電荷泵電路及存儲器。、在目前的存儲芯片中，需要用到多種電壓來實現(xiàn)對存儲單元的編程(vpgm)，擦除(verase)和讀出(vread)等操作，其中，高壓可通過傳統(tǒng)的dickson電荷泵獲得，如圖所示，dickson電荷泵包括n個級聯(lián)的mos晶體...

本申請涉及存儲器，特別是涉及一種存儲器測試方法、裝置、計算機(jī)設(shè)備和存儲介質(zhì)。、在目前的汽車電子芯片中，存儲器作為核心組件，廣泛應(yīng)用于各種車載電子設(shè)備中。為了保障存儲器在不同環(huán)境下都能可靠、穩(wěn)定地運作，需要對存儲器功能進(jìn)行驗證。、相關(guān)技術(shù)的存儲器測試方法，通過直接對內(nèi)存進(jìn)行強(qiáng)制賦值，并采用人...

本發(fā)明涉及一種存儲器控制，尤其涉及一種解碼方法與存儲裝置。、在固態(tài)存儲設(shè)備（ssd）中，由于其內(nèi)部基于閃存技術(shù)的特性，數(shù)據(jù)在存儲過程中易于遭受各種類型的錯誤，特別是位翻轉(zhuǎn)錯誤，這要求存儲器控制器必須集成錯誤檢查與修正（ecc）電路以確保數(shù)據(jù)完整性。、在固態(tài)硬盤（ssd）中，錯誤檢查與修正（...

本申請涉及存儲，并且更具體地，涉及存儲器裝置。、隨著對高容量縮小規(guī)模的存儲器裝置的要求，已經(jīng)開發(fā)了其中存儲器單元陣列和外圍電路布置在豎直方向上的三維（d）存儲器裝置。隨著半導(dǎo)體工藝的發(fā)展，隨著堆疊的字線的數(shù)量在存儲器單元陣列中增加，存儲器單元陣列的面積減小。因此，需要減小外圍電路的面積。尤...

本發(fā)明涉及芯片安全，尤其涉及一種芯片、芯片安全校驗方法、裝置、電子設(shè)備及存儲介質(zhì)。、通過物理銷毀或者移除作為芯片部分的片外測試電路，是避免關(guān)鍵數(shù)據(jù)泄露、確保芯片安全的重要方式。、目前，物理銷毀或者移除部分芯片的主要做法是將芯片中的待移除的片外測試電路布置在芯片的主要功能區(qū)域外，將熔絲（fu...

本公開涉及存儲器，具體而言，涉及一種存儲器操作方法、存儲器及存儲系統(tǒng)。、閃存存儲器是一種可以被電擦除并重新編程的使用廣泛的非易失性存儲器。閃存存儲器包括nor閃存存儲器和nand閃存存儲器?？梢詫㈤W存存儲器中的存儲單元的閾值電壓改變?yōu)槠谕娖?，以?zhí)行讀取、編程和擦除操作。對于nand閃存存...

本發(fā)明涉及存儲器，尤其涉及一種基于自適應(yīng)學(xué)習(xí)的閃存糾錯方法及可讀存儲介質(zhì)。、nand型閃存存儲器（一種非易失性存儲技術(shù)）通過向浮柵極注入電子的方式存儲數(shù)據(jù)。由于量子效應(yīng)，閃存存儲器不能精確控制注入浮柵極的電子數(shù)量，因此閃存存儲器的閾值電壓分布曲線呈正態(tài)分布。在理想狀態(tài)下，相鄰兩個存儲單元的...

本發(fā)明涉及憶阻器記憶電路領(lǐng)域，具體涉及一種基于納米憶阻陣列的單層全連接記憶存儲電路和方法。、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模仿人腦的神經(jīng)元和突觸連接，通過大量的數(shù)據(jù)學(xué)習(xí)和訓(xùn)練，能夠處理復(fù)雜的模式識別和決策問題。這種模擬生物神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的方法，使得機(jī)器能夠進(jìn)行智能決策和問題解決和信息記憶識別等，極大地推動了人工智...

本發(fā)明創(chuàng)造涉及靈敏放大器電路，特別是涉及一種自反饋上交叉耦合靈敏放大器電路及其控制方法。、在存儲器中通常采用靈敏放大器來放大位線兩端微弱的電壓差，實現(xiàn)存儲數(shù)據(jù)的快速讀出。衡量靈敏放大器設(shè)計的性能指標(biāo)主要分為三個方面：失調(diào)電壓、放大延遲以及功耗?，F(xiàn)有技術(shù)中一般存在以下兩種靈敏放大器結(jié)構(gòu)：、其...

本發(fā)明涉及光盤驅(qū)動器以及電子設(shè)備單元。、ptl?和ptl?各自公開了安裝在諸如游戲機(jī)、個人計算機(jī)或av(視聽)裝置的電子設(shè)備上的光盤驅(qū)動器。、[引文列表]、[專利文獻(xiàn)]、[ptl?]、jp?-a、[ptl?]、jp?-a技術(shù)實現(xiàn)思路、[技術(shù)問題]、沒有安裝光盤驅(qū)動器的電子設(shè)備可以通過電纜與...

本公開的實施例涉及存儲器以及相關(guān)，具體地，涉及適用于一種dcc電路校準(zhǔn)方法、系統(tǒng)和存儲器。、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（dynamic?randomaccessmemory，dram），也叫主存，是與cpu直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器。它具有隨時讀寫、速度快的特點，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運行中的程...

本發(fā)明有關(guān)于一種方法及系統(tǒng)，特別是指一種能夠從存儲器提取(retrieve)用于微調(diào)能隙參考電路的微調(diào)碼的方法及系統(tǒng)。、為了產(chǎn)生參考電壓位準(zhǔn)，一些相關(guān)技術(shù)使用包含至少一運算放大器及雙極性接面晶體管對的現(xiàn)有能隙參考電路。然而，現(xiàn)有能隙參考電路所提供的參考電壓位準(zhǔn)并不適用于需要低電源電壓的一些...

本公開大體上涉及半導(dǎo)體裝置，并且更具體地涉及半導(dǎo)體存儲器裝置。具體地說，本公開涉及易失性存儲器，例如動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(dram)。、信息可作為物理信號(例如，電容性元件上的電荷)存儲在存儲器的個別存儲器單元上。在例如讀取或?qū)懭氩僮鞯仁纠源嫒〔僮髌陂g，跨越存儲器裝置的數(shù)據(jù)端子與時鐘信號同...

本發(fā)明涉及存儲芯片，尤其涉及一種nand閃存、存儲器和電子設(shè)備。、非與(not?and，nand)閃存是一種非易失性存儲器件，使用了nand門電路來存儲數(shù)據(jù)。nand閃存具有較高的存儲密度、較快的數(shù)據(jù)讀寫速度、較低的功耗、較長的壽命等優(yōu)點，可以廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中，如固態(tài)硬盤(soli...

本技術(shù)涉及硬盤，具體的說是一種移動硬盤盒。、隨著時代的發(fā)展，手機(jī)已成為人們?nèi)粘Ｉ钪兴貍涞墓ぞ撸捎谑謾C(jī)的存儲空間有限，在一些工作場合，其存儲量無法滿足人們的需求，人們通常會外接移動硬盤盒來擴(kuò)充存儲量。目前市面上有一種磁吸移動硬盤盒，用戶在使用時可以將移動硬盤吸附在手機(jī)背后，方便攜帶及單...

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種閃存器件的浮柵耦合系數(shù)測試方法。、在當(dāng)前的電子，t?nor?flash(-transistor?nor?flash，雙晶體管nor型閃存)器件作為一種非易失性存儲器件，以其高集成度、低功耗和非易失性存儲特性廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中，該非易失性存儲器件的...